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与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性，其记录速度也非常快。
英特尔是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。
1988年，英特尔公司推出了一款256k
bit闪存芯片。
它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。
后来，英特尔发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom（可擦除可编程只读存储器）和eeprom（电可擦除可编程只读存储器）两项技术，并拥有一个sram接口。
eprom是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。
其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式mos电路，简称为famos。
它与mos电路相似，是在n型基片上生长出两个高浓度的p型区，通过欧姆接触分别引出源极s和漏极d。
