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光刻机的工作能力决定了芯片的工艺制程，而作为“雕刻”芯片电路的那把“刀”，蚀刻光源的波长严重影响它的加工能力。
目前国际上主流的光刻机普遍使用193纳米波长的紫外线光源，其之所以能够加工65、45甚至最高14纳米的硅晶圆；因为使用了折射率更好的镜头，并且把硅晶圆浸泡在高折射率的浸没液体里面，因此称之为浸没式光刻系统。
而现在最新一代的光刻机则使用波长135纳米的极紫外线作为工作光源，这将半导体制程直接推进到了10纳米以下，唯一的问题是波长越小、光子的能量就越大，相应的穿透作用、电离作用也就越明显，像是有用又有害的x光就是波长小于10纳米的电磁波。
现在的情况是光源造出来了，但是配套的掩膜、覆膜材料却因为资本利益的限制，而没能跟上，导致下一代光刻始终无法实用化；东瀛、美国、欧盟的相关集团实际上已经都有了下一代的技术，但是现在因为资本的利益，仍旧是在产品上进行逐步升级，赚取大量因为更新换代而产生的利润。
因此比如英特尔，早在几年前就号称要进军10纳米，但到现在还像是毫无声息，前不久英特尔推出了ivy
id处理器，才终于将制造工艺从32纳米提高至22纳米。
而此时，大唐电子和星空集团合作的龙芯系列已经准备在下半年发布的，已经是16纳米的制程了；并且宣布将会在两年内将制程推进到10纳米。
16纳米实际上已经把现在大唐电子的技术储备耗尽了，现有的光刻机也不支持更进一步了，最多也就是达到14n。
而新一代的光刻机在这种情况下，肯定是进口不来的，这就需要星空的实验室进行多方面合作共同研制了。
