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SiC
(碳化硅)材料,一类是
ZnSe(硒化锌)材料,另外一类是
GaN(氮化嫁)材料。
由于SiC从物理原理上,就限制了其发光效率不可能高,所以人们很自然地把注意力转向了ZnSe
基和
GaN
基材料。
GaN的合成十分困难,生长得到的材料具有很高的线缺陷(位错)密度,按照传统半导体物理的认识,GaN
这么高的位错密度不可能发强光。
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SiC
(碳化硅)材料,一类是
ZnSe(硒化锌)材料,另外一类是
GaN(氮化嫁)材料。
由于SiC从物理原理上,就限制了其发光效率不可能高,所以人们很自然地把注意力转向了ZnSe
基和
GaN
基材料。
GaN的合成十分困难,生长得到的材料具有很高的线缺陷(位错)密度,按照传统半导体物理的认识,GaN
这么高的位错密度不可能发强光。