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话音刚落，潘建伟院士就像是几十年前在学校课堂上课一样，举起了右手开口提问道。
“我想知道你是怎么解决拓扑量子理论在模特绝缘体中的运用这个问题的？”
听到这个问题，徐川笑了笑，站起身从办公室的角落中拖出来一面黑板，开口道：“这其实很简单。”
从笔篓中拾起了记号笔后，他在黑板上继续写道：“二维状态下强关联电子效应形成的拓扑绝缘体效应由手征陈数来刻画该体系的拓扑性质。”
“即c±=±［sgn（）+sgn（b）］\/2，其中和b是相关参数。”
“而在二维绝缘体系统中，霍尔电导可以表示为一个陈数拓扑不变量，从而能够精确地描述实验结果的量子化特性。”
“所以简单的来说，整数量子霍尔效应中的霍尔电导由被填充朗道能级的陈数之和决定，因此呈现量子化的数值。”
看着黑板上的计算公式，潘建伟院士下意识的皱起了眉头，艰难的思索理解了好一会后才开口道：“但是如果我没记错的话拓扑序量子相变的普适性问题至今都没有解决？”
停顿了一下，他似乎又有点不确定的补了两个字。
“好像？”
